O transistor IGBT (Transistor bipolar de porta isolada mescla as características do transistor BJT e do MOSFET. Sobre o IGBT avalie as seguintes pr...

Com certeza, vamos lá! Proposição A: O IGBT é um dispositivo semicondutor utilizado em circuitos de potência. Resposta: Verdadeiro. O IGBT é um dispositivo semicondutor utilizado em circuitos de potência, especialmente em aplicações que exigem altas correntes e tensões. Proposição B: O IGBT é um dispositivo que apresenta alta impedância de entrada. Resposta: Falso. O IGBT apresenta baixa impedância de entrada, o que significa que ele é facilmente controlado por sinais de baixa potência. Proposição C: O IGBT é um dispositivo que apresenta alta velocidade de comutação. Resposta: Verdadeiro. O IGBT apresenta alta velocidade de comutação, o que significa que ele pode ser ligado e desligado rapidamente. Proposição D: O IGBT é um dispositivo que apresenta alta resistência térmica. Resposta: Falso. O IGBT apresenta baixa resistência térmica, o que significa que ele pode superaquecer facilmente se não for adequadamente resfriado. Proposição E: O IGBT é um dispositivo que apresenta alta tensão de ruptura. Resposta: Verdadeiro. O IGBT apresenta alta tensão de ruptura, o que significa que ele pode suportar altas tensões sem entrar em colapso.