Transistor BJT: Funcionamento e Aplicações

Prévia do material em texto

Universidade Estadual de Maringá
Departamento de Engenharia Química
Engenharia Elétrica
Lab. de Circuitos Eletrônicos I
TRANSISTOR BJT
Mariana Corseti Marcomini
ra104547@uem.br
Introdução
	O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, 
composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e 
Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor 
tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro 
importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, 
visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas 
mais elevadas.
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, 
composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e 
Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor 
tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro 
importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, 
visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas 
mais elevadas.
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, 
composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e 
Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor 
tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro 
importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, 
visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas 
mais elevadas.
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, 
composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e 
Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor 
tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro 
importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, 
visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas 
mais elevadas. 
O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, 
composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e 
Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor 
tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro 
importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, 
visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas 
mais elevadas.
O Transistor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção pn entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira (V0) de 0,7 V (diodos de silício), que é um parâmetro importante do TJB. Os diodos de silício são mais usados que os de germânio, visto que possuem correntes de fuga menores e podem operar em temperaturas mais elevadas.
O transistor bipolar nada mais é que a junção de duas junções pn em série, possibilitando duas configurações: pnp e npn. Os transistores npn são os mais comuns, basicamente porque a mobilidade dos elétrons é muito superior à das lacunas, isto é, os elétrons movem-se mais facilmente ao longo da estrutura cristalina o que traz vantagens significativas no processamento de sinais de alta frequência, além de serem mais adequados à produção em massa. No entanto, deve-se referir que, em várias situações, é muito útil ter os dois tipos de transistores num circuito.
Procedimentos
Para a realização do experimento, foi disponibilizado aos discentes o acesso ao simulador Tinkercad e um roteiro a fim de auxiliar a montagem do experimento.
O circuito então foi montado no simulador Tinkercad como mostra a figura a baixo. 
Resultados e Discussão
Então, foi solicitado o calculo dos valores de corrente e tensão.
	(µA)
	(mA)
	(mA)
	(V)
	(V)
	75,3
	22,1
	22,1
	0,711
	4,72
Foi solicitada também que fossem apresentadas utilizações praticas do uso do transistor BJT.
As principais aplicações de transistores seriam como amplificadores de corrente ou tensão e como controle ON-OFF (chaves do tipo liga-desliga). A única maneira na qual o transistor é capaz de funcionar seria quando se encontra polarizado.
Como todo componente eletrônico a tensão aplicada a eles não pode sofrer variações bruscas, dessa forma temos que definir a região em que irão operar sob corrente contínua, isso está relacionado diretamente à aplicação em que se deseja introduzi-los.
Conclusão
	No referido experimento após os equipamentos serem montados como ensinado, a fim de observar o funcionamento do transistor BJT. Os transistores fazem parte de inúmeros circuitos sejam analógicos ou digitais, desempenhando importante papel. Com a evolução dos sistemas computacionais, houve a necessidade quanto a substituição das antigas válvulas que os integravam por dispositivos mais modernos e capazes de amplificar um sinal transferido. Então surgem os transistores utilizados em diversos equipamentos como rádio e televisão modernos. Isso representa um avanço importante na eletrônica de potência, gerando sistemas com dimensões reduzidas e muito mais eficientes na transferência de corrente, pois são baseados em diodos (componentes que possuem conduções unilateral e facilmente polarizáveis).
	
A partir disto, foram calculados os valores para tensão e corrente solicitados. .Apesar da aparente discrepância quantitativa, por se tratar de um simulador, alguns valores podem variar da pratica.
Em suma, este experimento serviu como bom exemplificador do estudo do diodo zener, podendo ser otimizado adotando-se outros métodos para certas medidas e/ou abrindo mão de mais critérios e cautela na coleta dos dados.
Referências
[1] https://edisciplinas.usp.br
(Acesso em 15/11/2020)
[2] Keller, F. J.; Gettys W. E.; Stove M. J.; “CircuitosEletricos”, Volume 4, 2º Edição, Editora Makron Books (1999).
[3] https://www.mundodaeletrica.com.br
(Acesso em 15/11/2020).