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PESQUISA 01 Eletrônica Industrial Ana Maria Gonçalves Dias Matrícula: 0001425 Araguaína - TO Agosto/2021 SUMÁRIO 1. ESCASSEZ DOS SEMICONDUTORES NO MUNDO GLOBALIZADO DE HOJE. ..................................................................................................................... 3 2. A IMPORTÂNCIA DOS SEMICONDUTORES ................................................. 3 3. DIODOS DE POTÊNCIA: O QUE SÃO E QUAIS SUAS APLICAÇÕES ......... 4 4. DIODO SCHOTTKY, O QUE É E QUAIS SUAS APLICAÇÕES ...................... 6 Como funciona o Diodo Schottky .......................................................... 6 Simbologia do Diodo Schottky .................................................................. 7 Aplicações em sistemas de áudio ......................................................... 7 5. TIRÍSTOR, O QUE É E QUAIS SUAS APLICAÇÕES ..................................... 7 1. ESCASSEZ DOS SEMICONDUTORES NO MUNDO GLOBALIZADO DE HOJE. Há duas décadas os chips eram encontrados nas residências nos rádios e nas TVs. Atualmente, os chips encontram-se em tudo. Nos carros, tablets, celulares, notebooks, etc. Dessa forma, presentemente o mundo passa por uma escassez global de semicondutores. Os semicondutores são sensíveis a condições ambientais como a temperatura ou o estado elétrico, seja com carga elétrica positiva ou negativa. Eles podem ser de silício ou germânio, sendo o silício o material mais comumente utilizado. Bastante utilizados para a fabricação de componentes eletrônicos, os semicondutores têm aplicabilidade na prática e são muito importantes para a vida das pessoas. Seu uso é essencial para a fabricação de componentes eletrônicos como diodos, transístores, LED, microprocessadores, chips, nano circuitos usados em nanotecnologia, dentre outros produtos tecnológicos. Os maiores produtores mundiais de ferrosilício são China, Rússia, EUA, Brasil e Ucrânia. A crise global dos chips semicondutores afetou os diferentes setores da indústria e vem sendo um problema para basicamente todo o mundo. Desde eletrodomésticos, até automóveis, passando pelos consoles, diversas empresas precisaram alterar os esquemas ou até paralisar suas linhas de produção por conta da escassez do componente. As fabricantes do produto vêm tentando aumentar sua capacidade de produção e alterar os seus processos de fabricação. Entre as principais medidas estão a abertura de capacidade sobressalente, auditoria dos pedidos dos clientes para evitar a acumulação e trocas nas linhas de produção. As causas para esse problema são diversas, e vão desde a guerra comercial entre Estados Unidos e China, até um erro de cálculo que levou alguns fabricantes a estocarem sua produção no início da pandemia. Entre os chips que estão mais em falta no mercado, estão os de tecnologia mais simples, que são usados em uma gama maior de produtos, como os automóveis. No entanto, a indústria do setor tem focado seus esforços na fabricação de chips mais elaborados, necessários para equipamentos com 5G e servidores, por estes serem mais lucrativos. Essa abordagem acabou falhando com a chegada da pandemia, que mudou os padrões de consumo de alguns consumidores. Ao passarem para o regime de trabalho remoto, precisaram investir em novos equipamentos. Isso acabou deixando os fabricantes mal equipados para lidar com essa demanda crescente. Além disso, a crise de oferta aumentou bastante por conta da guerra comercial entre EUA e China, principalmente durante 2020. O ex-presidente Donald Trump restringiu gradualmente a venda de chips produzidos nos Estados Unidos para alguns compradores chineses, o que fez com que empresas de tecnologia do país passassem a estocar chips. 2. A IMPORTÂNCIA DOS SEMICONDUTORES Os materiais semicondutores constituem a matéria-prima da fabricação dos dispositivos eletrônicos e têm extrema importância nas transformações da sociedade e do modo de vida atual. Apesar de aparentemente não visíveis nos dispositivos, os materiais semicondutores constituem a base da eletrônica. https://olhardigital.com.br/tag/eletrodomesticos/ https://olhardigital.com.br/tag/automoveis/ https://olhardigital.com.br/2021/02/25/videos/tesla-falta-de-chips-interrompe-producao-do-model-3-nos-eua-2/ https://olhardigital.com.br/tag/china/ Muito utilizado em equipamentos eletrônicos, os semicondutores são sólidos capazes de mudar sua condição de isolante para condutores com grande facilidade. Isso se deve ao fato de que os semicondutores possuem uma banda proibida intermediária. A banda proibida é a região localizada entre as bandas de valência, ou camada de valência do átomo, e a banda de condução (região onde, sob ação de um campo elétrico, se forma a corrente elétrica). Quando os elétrons recebem certa quantidade de energia, eles se tornam livres e saem da camada de valência para a camada de condução. A condutividade dos semicondutores pode ser alterada variando-se a temperatura, o que faz com que atinjam uma condutividade semelhante à dos metais. A condutividade dos semicondutores provenientes de excitações térmicas é denominada condutividade intrínseca. Os semicondutores podem ser de silício ou germânio, utilizados para a fabricação de componentes eletrônicos, como, por exemplo, os transistores. 3. DIODOS DE POTÊNCIA: O QUE SÃO E QUAIS SUAS APLICAÇÕES Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e de corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potência, caracterizados por uma maior área (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tensões mais elevadas). A figura abaixo mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo. Figura 1: Estrutura básica de um diodo semicondutor. Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de potencial aparecerá na região de transição, uma vez que a resistência desta parte do semicondutor é muito maior que a do restante do componente (devido à concentração de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão negativa no anodo (região P) e positiva no catodo (região N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de portadores minoritários penetra na região de transição. São, então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura. Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores em trânsito obterão grande velocidade e, ao se chocarem com átomos da estrutura, produzirão novos portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem redução significativa na tensão na junção, produz-se um pico de potência que destrói o componente. Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente à condução. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente desta apresentada. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem. O papel desta região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na região de transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga). Esta regiãode pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tensão suportável pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos são altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com característica ôhmica e não semicondutor. O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo tem como função criar campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria região de transição. Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta dopagem da camada P+, por difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da região N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual terá que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. Os diodos de potência são largamente utilizados nas indústrias principalmente em circuitos retificadores de alimentação não controlados ou semi- controlados como estações nobreak de subestações e grandes servidores de TI, outra aplicação muito comum é o caminho de retorno para cargas indutivas, um exemplo desta aplicação é o diodo de potência conhecido como roda livre, ele trabalha para proteger os circuitos de acionamento através conversores DC de grandes bobinas comuns em separadores magnéticos ou grandes eletroímãs. Quando essas bobinas são desenergizadas o campo magnético remanescente no indutor gera uma tensão reversa, capaz de danificar os tiristores dos conversores, quando a tensão reversa é gerada o diodo ligado em paralelo com o terra, passa a ser polarizado diretamente e descarrega a tensão para terra protegendo os tiristores do equipamento. 4. DIODO SCHOTTKY, O QUE É E QUAIS SUAS APLICAÇÕES O Diodo Schottky é um componente eletrônico com funcionamento baseado no efeito schottky, que recebe o seu nome por conta do físico alemão Walter Schottky. O componente é muito parecido com um diodo comum. Eles são diodos com alta velocidade de comutação e baixa queda de tensão quando diretamente polarizados. Dessa forma, o componente pode ser usado em aplicações que diodos comuns não funcionariam tão bem, por ter uma velocidade menor e uma queda de tensão maior. Assim, a queda de tensão no diodo Schottky costuma ser na casa de microvolts, enquanto que diodos comuns tem quedas de tensão de aproximadamente 0,7 volts, para os componentes fabricados em silício. Em contrapartida, os diodos Schottky não suportam temperaturas elevadas e muito menos altas tensões quando inversamente polarizados. Outro problema comum dessa categoria de diodo é a sua corrente de fuga inversa, que é um pouco alta. • Como funciona o Diodo Schottky A principal diferença desse componente é a sua fabricação. Ao invés de utilizar uma junção com um material semicondutor tipo P, utiliza-se um metal em sua construção. Dessa forma não haverá uma camada com lacunas no componente. Essa camada metálica é colocada por meio de processos químicos, sendo que é comum também existir uma camada de óxido para evitar efeitos indesejados que um campo elétrico mais intenso pode causar. Por não haver lacunas, não há recombinação de cargas no diodo schottky. Assim, sua velocidade de trabalho é muito maior que a de um diodo comum. A existência de um metal no lugar do material tipo P proporciona uma velocidade muito maior e menor queda de tensão. Entretanto, por não existirem lacunas, a corrente reversa na condução é muito maior. https://athoselectronics.com/componentes-eletronicos-guia/ https://pt.wikipedia.org/wiki/Walter_Schottky https://pt.wikipedia.org/wiki/Walter_Schottky https://athoselectronics.com/diodo/ https://athoselectronics.com/diodo/ • Simbologia do Diodo Schottky A simbologia de um diodo schottky é muito parecida com a de um diodo comum, mas com uma curvatura um pouco diferente, veja: Portanto, o componente será visto com essa simbologia em diagramas de circuitos eletrônicos. • Aplicações em sistemas de áudio Diodos comuns, quando aplicados em sistemas de áudio, podem causar distorções nas ondas sonoras, por conta de sua queda de tensão. Como eles não conduzem em polarizações diretas com tensões menores que a queda de tensão, uma boa parte do sinal de áudio será perdido. Assim, os diodos schottky podem ser utilizados em sistemas de áudio para evitar distorções em ondas sonoras. Como sinais sonoros também trabalham nas mais variadas frequências, o componente torna-se muito apropriado para trabalhar em frequências maiores. 5. TIRÍSTOR, O QUE É E QUAIS SUAS APLICAÇÕES O tiristor é um dispositivo de quatro camadas e membro da família dos semicondutores que tem dois estados estáveis de operação: um estado apresenta corrente aproximadamente igual a zero, e o outro tem uma corrente elevada; limitada apenas pela resistência externa. O tiristor pode ser considerado uma chave unidirecional que substitui, com vantagens, por exemplo, contatores e relés de grande capacidade. Tornou-se vantajoso no controle de grandes potências. Pois, é um dispositivo leve, pequeno, confiável, de ação rápida, pode ser ligado com correntes muito reduzidas e não apresenta problemas de desgaste mecânico, porque não possui partes móveis. Tornou-se vantajoso no controle de grandes potências por ser um dispositivo leve, pequeno, confiável, de ação rápida, pode ser ligado com correntes muito reduzidas não apresenta problemas de desgaste mecânico porque não possui partes móveis É considerado um dispositivo unidirecional, apenas conduz corrente num sentido, mas ao contrário de um díodo este é controlável. Não é controlável linearmente como é um transístor (por isso podemos construir circuitos amplificadores com o transístor), mas sim como um interruptor, totalmente aberto ou totalmente fechado e com apenas um sentido, do ânodo para o cátodo, tal como um díodo. A vantagem de utilizar este tipo de dispositivo, prende-se com o fato de os semicondutores poderem ser comutados (ligados e desligados) a grandes velocidades. Um circuito equivalente ao tirístor, são dois transístores montados back-to-back – PNPN conforme a imagem em cima. Os tirístores são muitas vezes utilizados em circuitos de controle de retificação em corrente alternada. Graças ao seu funcionamento, pode-se definir o momento em que entra em condução e assim escolher a quantidade de energia a ser aplicada à carga. Mas existe um inconveniente, devido à sua configuração, depois de ser aplicada uma tensão à gate e o tirístor entrar em condução, ele permanece nesse estado até que deixe de haver tensão entre o ânodo e o cátodo, e mesmo que deixe de haver tensão na gate, olhando ainda ao circuito equivalente de dois transístores, ele permanecerá em condução devido à realimentação entre eles. Em circuitos que envolvem corrente alternada, não existe este problema, porque a tensão passa por zero a cada meio ciclo, mas, ao ser utilizado em corrente continua, ele permanece em condução até que a tensão entre o ânodo e o cátodo seja 0. 6. GTO - GATE TURN-OFF THYRISTOR, O QUE É E QUAIS SUAS APLICAÇÕES O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, típica dos componentes da família dos tiristores. Sua característica principal é sua capacidade de entrar em condução e bloquear através de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate é injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores desloca-se até a camada N adjacente (já que a camada de gate é suficientemente fina), atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos pelo potencialdo anodo, dando início à corrente anódica. Se esta corrente se mantiver acima da corrente de manutenção, o dispositivo não necessita do sinal de gate para manter-se conduzindo. A figura abaixo mostra o símbolo do GTO e uma representação simplificada dos processos de entrada e saída de condução do componente. Figura 2: Símbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO. A aplicação de uma polarização reversa na junção gate-catodo pode levar ao desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do dispositivo são atraídos pelo gate, fazendo com que seja possível o restabelecimento da barreira de potencial na junção J2. Os GTOs têm algumas vantagens sobre os SCRs, como por exemplo: • Eliminação de componentes de comutação em comutações forçadas, resultando em reduções de custo, peso e volume; • Redução de ruídos acústicos e eletromagnéticos, devido à eliminação de "estrangulamentos" de comutação; • Desligamento mais rápido, permitindo maiores frequências de chaveamento; • Melhoria na eficiência dos conversores. A principal diferença entre o GTO e o GATT (Gate Assisted Turn Off Thyristor) é o de que o GTO pode ser desligado através da aplicação de corrente negativa no gate, enquanto que o anodo é polarizado positivamente com respeito ao catodo. Por outro lado, para o GATT ser desligado, o catodo precisa ser polarizado positivamente com respeito ao anodo, e uma polarização negativa no gate só irá reduzir o tempo do processo de desligamento Em aplicações de baixa potência, os GTOs têm as seguintes vantagens sobre os transistores bipolares: • A capacidade de uma maior barreira de potencial; • Um alto ganho "on-state" (corrente de anodo / corrente de gate), normalmente 600; • Curta duração de sinal de pulso no gate. Sob condições de oscilações, os GTOs entram em uma alta saturação, devido à ação regenerativa. Por outro lado, os BJTs tendem a sair do modo de saturação